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    Wolfspeed, Inc. CBB021M12FM3T

    Teilenr.:
    CBB021M12FM3T
    Hersteller:
    Wolfspeed, Inc.
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    Module
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikCBB021M12FM3T.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 4N-CH 1200V 50A
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    CBB021M12FM3T Spezifikationen

    Wolfspeed, Inc. CBB021M12FM3T technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. CBB021M12FM3T.
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    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Wolfspeed, Inc.
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    Module
    Verpackung:
    Box
    Produktstatus:
    Active
    Technologie:
    Silicon Carbide (SiC)
    Konfiguration:
    4 N-Channel (Full Bridge)
    FET-Funktion:
    -
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    1200V (1.2kV)
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    50A (Tj)
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    28.9mOhm @ 30A, 15V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    3.9V @ 17mA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    162nC @ 15V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    5400pF @ 1000V
    Leistung – Max:
    -
    Betriebstemperatur:
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Chassis Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    -
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    Hersteller Wolfspeed, Inc.
    Series -
    Package/Case Module
    Packaging Box
    Product Status Active
    Technology Silicon Carbide (SiC)
    Configuration 4 N-Channel (Full Bridge)
    FET Feature -
    Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tj)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.9mOhm @ 30A, 15V
    Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 17mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 162nC @ 15V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 1000V
    Power - Max -
    Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Chassis Mount
    Supplier Device Package -

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