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    Diodes Incorporated DMG1016UDW-7

    Teilenr.:
    DMG1016UDW-7
    Hersteller:
    Diodes Incorporated
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikDMG1016UDW-7.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 20V SOT363
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    DMG1016UDW-7 Spezifikationen

    Diodes Incorporated DMG1016UDW-7 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated DMG1016UDW-7.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Diodes Incorporated
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    N and P-Channel
    FET-Funktion:
    Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    20V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    1.07A, 845mA
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    450mOhm @ 600mA, 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    1V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    0.74nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    60.67pF @ 10V
    Leistung – Max:
    330mW
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    SOT-363
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    DMG1016UDW-7 Vergleich

    Bilder DMG1016UDW-7 DMG1016UDWQ-7
    Teilenr. DMG1016UDW-7 DMG1016UDWQ-7
    Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated
    Series - -
    Package/Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    Product Status Active Not For New Designs
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration N and P-Channel N and P-Channel Complementary
    FET Feature Logic Level Gate -
    Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.07A, 845mA 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 10V 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
    Power - Max 330mW 330mW (Ta)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade - Automotive
    Qualification - AEC-Q101
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package SOT-363 SOT-363

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