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    Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE,LM

    Teilenr.:
    SSM6L56FE,LM
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    SOT-563, SOT-666
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikSSM6L56FE,LM.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
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    SSM6L56FE,LM Spezifikationen

    Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE,LM technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE,LM.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    SOT-563, SOT-666
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    N and P-Channel
    FET-Funktion:
    Logic Level Gate, 1.5V Drive
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    20V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    800mA (Ta)
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    1V @ 1mA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    1nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    55pF @ 10V, 100pF @ 10V
    Leistung – Max:
    150mW (Ta)
    Betriebstemperatur:
    150°C
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    ES6
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    SSM6L56FE,LM Vergleich

    Bilder SSM6L56FE,LM
    Teilenr. SSM6L56FE,LM
    Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
    Series -
    Package/Case SOT-563, SOT-666
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Active
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration N and P-Channel
    FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
    Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 10V, 100pF @ 10V
    Power - Max 150mW (Ta)
    Operating Temperature 150°C
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package ES6

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