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    Vishay Siliconix SQ4946AEY-T1_GE3

    Teilenr.:
    SQ4946AEY-T1_GE3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikSQ4946AEY-T1_GE3.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
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    SQ4946AEY-T1_GE3 Spezifikationen

    Vishay Siliconix SQ4946AEY-T1_GE3 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix SQ4946AEY-T1_GE3.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Vishay Siliconix
    Serie:
    TrenchFET®
    Verpackung/Gehäuse:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion:
    Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    60V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    7A
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    40mOhm @ 4.5A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    2.5V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    18nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    750pF @ 25V
    Leistung – Max:
    4W
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Klasse:
    Automotive
    Qualifizierung:
    AEC-Q101
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    8-SOIC
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    Bilder SQ4946AEY-T1_BE3 SQ4946AEY-T1_GE3
    Teilenr. SQ4946AEY-T1_BE3 SQ4946AEY-T1_GE3
    Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix
    Series TrenchFET® TrenchFET®
    Package/Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    Product Status Obsolete Obsolete
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
    FET Feature - Logic Level Gate
    Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc) 7A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.5A, 10V 40mOhm @ 4.5A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V 18nC @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V 750pF @ 25V
    Power - Max 4W (Tc) 4W
    Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
    Grade Automotive Automotive
    Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package 8-SOIC 8-SOIC

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