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    Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-E3

    Teilenr.:
    SI4914BDY-T1-E3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikSI4914BDY-T1-E3.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
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    SI4914BDY-T1-E3 Spezifikationen

    Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-E3 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-E3.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Vishay Siliconix
    Serie:
    LITTLE FOOT®
    Verpackung/Gehäuse:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    2 N-Channel (Half Bridge)
    FET-Funktion:
    -
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    30V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    8.4A, 8A
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    21mOhm @ 8A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    2.7V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    10.5nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    -
    Leistung – Max:
    2.7W, 3.1W
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    8-SOIC
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    Teilenr. SI4914BDY-T1-GE3 SI4914BDY-T1-E3
    Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix
    Series LITTLE FOOT® LITTLE FOOT®
    Package/Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    Product Status Obsolete Obsolete
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET Feature - -
    Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.4A, 8A 8.4A, 8A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 2.7V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V 10.5nC @ 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - -
    Power - Max 2.7W, 3.1W 2.7W, 3.1W
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package 8-SOIC 8-SOIC

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