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    Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF

    Teilenr.:
    SSM6L09FUTE85LF
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikSSM6L09FUTE85LF.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6
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    SSM6L09FUTE85LF Spezifikationen

    Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF.
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    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Not For New Designs
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    N and P-Channel
    FET-Funktion:
    Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    30V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    400mA, 200mA
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    700mOhm @ 200MA, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    1.8V @ 100µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    -
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    20pF @ 5V
    Leistung – Max:
    300mW
    Betriebstemperatur:
    150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    US6
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    SSM6L09FUTE85LF Vergleich

    Bilder SSM6L09FUTE85LF
    Teilenr. SSM6L09FUTE85LF
    Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
    Series -
    Package/Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Not For New Designs
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration N and P-Channel
    FET Feature Logic Level Gate
    Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 200MA, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 100µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
    Power - Max 300mW
    Operating Temperature 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package US6

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