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    Texas Instruments CSD88599Q5DC

    Teilenr.:
    CSD88599Q5DC
    Hersteller:
    Texas Instruments
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    22-PowerTFDFN
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikCSD88599Q5DC.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP
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    CSD88599Q5DC Spezifikationen

    Texas Instruments CSD88599Q5DC technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD88599Q5DC.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Texas Instruments
    Serie:
    NexFET™
    Verpackung/Gehäuse:
    22-PowerTFDFN
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    2 N-Channel (Half Bridge)
    FET-Funktion:
    -
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    60V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    -
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    2.1mOhm @ 30A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    2.5V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    27nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    4840pF @ 30V
    Leistung – Max:
    12W
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    22-VSON-CLIP (5x6)
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    CSD88599Q5DC Vergleich

    Bilder CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT
    Teilenr. CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT
    Hersteller Texas Instruments Texas Instruments
    Series NexFET™ NexFET™
    Package/Case 22-PowerTFDFN 22-PowerTFDFN
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    Product Status Active Active
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET Feature - -
    Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 30V 4840pF @ 30V
    Power - Max 12W 12W
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package 22-VSON-CLIP (5x6) 22-VSON-CLIP (5x6)

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