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    onsemi FDMD8580

    Teilenr.:
    FDMD8580
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    8-PowerWDFN
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikFDMD8580.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 80V 16A POWER56
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    FDMD8580 Spezifikationen

    onsemi FDMD8580 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi FDMD8580.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    PowerTrench®
    Verpackung/Gehäuse:
    8-PowerWDFN
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion:
    -
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    80V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    16A (Ta), 82A (Tc)
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    4.6mOhm @ 16A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    4.5V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    80nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    5875pF @ 40V
    Leistung – Max:
    2.3W
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    Power56
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    FDMD8580 Vergleich

    Bilder FDMD8580
    Teilenr. FDMD8580
    Hersteller onsemi
    Series PowerTrench®
    Package/Case 8-PowerWDFN
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Obsolete
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration 2 N-Channel (Dual)
    FET Feature -
    Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 82A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 16A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5875pF @ 40V
    Power - Max 2.3W
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package Power56

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