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    onsemi FDMA1028NZ-F021

    Teilenr.:
    FDMA1028NZ-F021
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    6-VDFN Exposed Pad
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikFDMA1028NZ-F021.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
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    FDMA1028NZ-F021 Spezifikationen

    onsemi FDMA1028NZ-F021 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi FDMA1028NZ-F021.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    PowerTrench®
    Verpackung/Gehäuse:
    6-VDFN Exposed Pad
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion:
    Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    20V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    3.7A
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    68mOhm @ 3.7A, 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    1.5V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    6nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    340pF @ 10V
    Leistung – Max:
    700mW
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    6-MicroFET (2x2)
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

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    Teilenr. FDMA1028NZ FDMA1028NZ-F021
    Hersteller onsemi onsemi
    Series PowerTrench® PowerTrench®
    Package/Case 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    Product Status Active Obsolete
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
    FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
    Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A 3.7A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 3.7A, 4.5V 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 10V 340pF @ 10V
    Power - Max 700mW 700mW
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)

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