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    Infineon Technologies IRF7311TR

    Teilenr.:
    IRF7311TR
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikIRF7311TR.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
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    IRF7311TR Spezifikationen

    Infineon Technologies IRF7311TR technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies IRF7311TR.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Serie:
    HEXFET®
    Verpackung/Gehäuse:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion:
    Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    20V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    6.6A
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    29mOhm @ 6A, 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    700mV @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    27nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    900pF @ 15V
    Leistung – Max:
    2W
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    8-SO
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    IRF7311TR Vergleich

    Bilder IRF7311TR IRF7311TRPBF
    Teilenr. IRF7311TR IRF7311TRPBF
    Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies
    Series HEXFET® HEXFET®
    Package/Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    Product Status Obsolete Obsolete
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
    FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
    Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A 6.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 29mOhm @ 6A, 4.5V
    Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V 900pF @ 15V
    Power - Max 2W 2W
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package 8-SO 8-SO

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