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    Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LB

    Teilenr.:
    FS03MR12A6MA1LB
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    Module
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikFS03MR12A6MA1LB.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
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    FS03MR12A6MA1LB Spezifikationen

    Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LB technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LB.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Serie:
    HybridPACK™
    Verpackung/Gehäuse:
    Module
    Verpackung:
    Tray
    Produktstatus:
    Active
    Technologie:
    Silicon Carbide (SiC)
    Konfiguration:
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    FET-Funktion:
    -
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    1200V (1.2kV)
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    400A
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    3.7mOhm @ 400A, 15V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    5.55V @ 240mA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    1320nC @ 15V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    42600pF @ 600V
    Leistung – Max:
    -
    Betriebstemperatur:
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Chassis Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    AG-HYBRIDD-2
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    Bilder FS03MR12A6MA1LBBPSA1 FS03MR12A6MA1LB
    Teilenr. FS03MR12A6MA1LBBPSA1 FS03MR12A6MA1LB
    Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies
    Series HybridPACK™ HybridPACK™
    Package/Case Module Module
    Packaging Tray Tray
    Product Status Active Active
    Technology Silicon Carbide (SiC) Silicon Carbide (SiC)
    Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    FET Feature - -
    Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) 1200V (1.2kV)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400A 400A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 400A, 15V 3.7mOhm @ 400A, 15V
    Vgs(th) (Max) @ Id 5.55V @ 240mA 5.55V @ 240mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1320nC @ 15V 1320nC @ 15V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 42500pF @ 600V 42600pF @ 600V
    Power - Max - -
    Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Chassis Mount Chassis Mount
    Supplier Device Package AG-HYBRIDD-2 AG-HYBRIDD-2

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