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    Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TA

    Teilenr.:
    ZXMC4A16DN8TA
    Hersteller:
    Diodes Incorporated
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikZXMC4A16DN8TA.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 40V 5.2A 8SO
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    ZXMC4A16DN8TA Spezifikationen

    Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TA technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TA.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Diodes Incorporated
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    N and P-Channel Complementary
    FET-Funktion:
    Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    40V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    1V @ 250mA (Min)
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    17nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
    Leistung – Max:
    2.1W
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    8-SO
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    ZXMC4A16DN8TA Vergleich

    Bilder ZXMC4A16DN8TA
    Teilenr. ZXMC4A16DN8TA
    Hersteller Diodes Incorporated
    Series -
    Package/Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Obsolete
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration N and P-Channel Complementary
    FET Feature Logic Level Gate
    Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250mA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
    Power - Max 2.1W
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package 8-SO

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