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    Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7

    Teilenr.:
    DMN53D0LDW-7
    Hersteller:
    Diodes Incorporated
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikDMN53D0LDW-7.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
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    DMN53D0LDW-7 Spezifikationen

    Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Diodes Incorporated
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion:
    Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    50V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    360mA
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    1.6Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    1.5V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    0.6nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    46pF @ 25V
    Leistung – Max:
    310mW
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    SOT-363
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    (3)über die oben beschriebenen Mängel informiert.

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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

    (2)Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen

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    DMN53D0LDW-7 Vergleich

    Bilder DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-13
    Teilenr. DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-13
    Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
    Series - - - -
    Package/Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    Product Status Active Active Active Active
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
    FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate - -
    Drain to Source Voltage (Vdss) 50V 50V 50V 50V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 360mA 360mA 460mA (Ta) 460mA (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V 0.6nC @ 4.5V 1.4nC @ 10V 1.4nC @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 25V 46pF @ 25V 49.5pF @ 25V 49.5pF @ 25V
    Power - Max 310mW 310mW 400mW (Ta) 400mW (Ta)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade - - Automotive Automotive
    Qualification - - AEC-Q101 AEC-Q101
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package SOT-363 SOT-363 SOT-363 SOT-363

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