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    Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT120PHAPBF

    Teilenr.:
    VS-40MT120PHAPBF
    Hersteller:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    Kategorie:
    IGBT Module
    Verpackung:
    12-MTP Module
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikVS-40MT120PHAPBF.pdf
    Beschreibung:
    MTP - HALF BRIDGE IGBT
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    VS-40MT120PHAPBF Spezifikationen

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT120PHAPBF technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT120PHAPBF.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    12-MTP Module
    Verpackung:
    Tube
    Produktstatus:
    Active
    IGBT-Typ:
    Trench Field Stop
    Konfiguration:
    Half Bridge
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    1200 V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    75 A
    Leistung – Max:
    305 W
    Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
    2.65V @ 15V, 40A
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    50 µA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce:
    3.2 nF @ 25 V
    Eingang:
    Standard
    NTC-Thermistor:
    No
    Betriebstemperatur:
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    12-MTP
    Kategorie:
    IGBT Module
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    Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    Series HEXFRED® HEXFRED® - * *
    Package/Case SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC 12-MTP Module - -
    Packaging Tube Bulk Tube Box Box
    Product Status Active Active Active Active Active
    IGBT Type Trench Field Stop Trench Trench Field Stop - -
    Configuration Single Single Half Bridge - -
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V 1200 V 1200 V - -
    Current - Collector (Ic) (Max) 281 A 187 A 75 A - -
    Power - Max 1087 W 890 W 305 W - -
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 100A 2.55V @ 15V, 100A 2.65V @ 15V, 40A - -
    Current - Collector Cutoff (Max) 100 µA 100 µA 50 µA - -
    Input Capacitance (Cies) @ Vce 9.35 nF @ 25 V 6.15 nF @ 25 V 3.2 nF @ 25 V - -
    Input Standard Standard Standard - -
    NTC Thermistor No No No - -
    Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) - -
    Mounting Type Chassis Mount Chassis Mount Through Hole - -
    Supplier Device Package SOT-227 SOT-227 12-MTP - -

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