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    IXYS IXDN75N120

    Teilenr.:
    IXDN75N120
    Hersteller:
    IXYS
    Kategorie:
    IGBT Module
    Verpackung:
    SOT-227-4, miniBLOC
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikIXDN75N120.pdf
    Beschreibung:
    IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
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    IXDN75N120 Spezifikationen

    IXYS IXDN75N120 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS IXDN75N120.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    IXYS
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    SOT-227-4, miniBLOC
    Verpackung:
    Tube
    Produktstatus:
    Active
    IGBT-Typ:
    NPT
    Konfiguration:
    Single
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    1200 V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    150 A
    Leistung – Max:
    660 W
    Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
    2.7V @ 15V, 75A
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    4 mA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce:
    5.5 nF @ 25 V
    Eingang:
    Standard
    NTC-Thermistor:
    No
    Betriebstemperatur:
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montageart:
    Chassis Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    SOT-227B
    Kategorie:
    IGBT Module
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

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    IXDN75N120 Vergleich

    Bilder IXDN75N120
    Teilenr. IXDN75N120
    Hersteller IXYS
    Series -
    Package/Case SOT-227-4, miniBLOC
    Packaging Tube
    Product Status Active
    IGBT Type NPT
    Configuration Single
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
    Current - Collector (Ic) (Max) 150 A
    Power - Max 660 W
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A
    Current - Collector Cutoff (Max) 4 mA
    Input Capacitance (Cies) @ Vce 5.5 nF @ 25 V
    Input Standard
    NTC Thermistor No
    Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Chassis Mount
    Supplier Device Package SOT-227B

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