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    Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K

    Teilenr.:
    GB35XF120K
    Hersteller:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    Kategorie:
    IGBT Module
    Verpackung:
    ECONO2
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikGB35XF120K.pdf
    Beschreibung:
    IGBT MODULE 1200V 50A 284W
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    GB35XF120K Spezifikationen

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    ECONO2
    Verpackung:
    -
    Produktstatus:
    Obsolete
    IGBT-Typ:
    NPT
    Konfiguration:
    Three Phase Inverter
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    1200 V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    50 A
    Leistung – Max:
    284 W
    Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
    3V @ 15V, 50A
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    100 µA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce:
    3.475 nF @ 30 V
    Eingang:
    Standard
    NTC-Thermistor:
    No
    Betriebstemperatur:
    150°C (TJ)
    Montageart:
    Chassis Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    -
    Kategorie:
    IGBT Module
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    GB35XF120K Vergleich

    Bilder GB35XF120K
    Teilenr. GB35XF120K
    Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    Series -
    Package/Case ECONO2
    Packaging -
    Product Status Obsolete
    IGBT Type NPT
    Configuration Three Phase Inverter
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
    Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
    Power - Max 284 W
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
    Current - Collector Cutoff (Max) 100 µA
    Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.475 nF @ 30 V
    Input Standard
    NTC Thermistor No
    Operating Temperature 150°C (TJ)
    Mounting Type Chassis Mount
    Supplier Device Package -

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