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    STMicroelectronics STB34NM60N

    Teilenr.:
    STB34NM60N
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikSTB34NM60N.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
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    STB34NM60N Spezifikationen

    STMicroelectronics STB34NM60N technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics STB34NM60N.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    STMicroelectronics
    Serie:
    MDmesh™ II
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    FET-Typ:
    N-Channel
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    600 V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    29A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
    10V
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    105mOhm @ 14.5A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    4V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    84 nC @ 10 V
    Vgs (Max):
    ±25V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    2722 pF @ 100 V
    FET-Funktion:
    -
    Leistungsverlust (Max):
    250W (Tc)
    Betriebstemperatur:
    150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-263 (D2PAK)
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

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    STB34NM60N Vergleich

    Bilder STB34NM60N
    Teilenr. STB34NM60N
    Hersteller STMicroelectronics
    Series MDmesh™ II
    Package/Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Active
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 14.5A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V
    Vgs (Max) ±25V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2722 pF @ 100 V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
    Operating Temperature 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package TO-263 (D2PAK)

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