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    Infineon Technologies BSZ180P03NS3EGATMA1

    Teilenr.:
    BSZ180P03NS3EGATMA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    8-PowerTDFN
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikBSZ180P03NS3EGATMA1.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
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    BSZ180P03NS3EGATMA1 Spezifikationen

    Infineon Technologies BSZ180P03NS3EGATMA1 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies BSZ180P03NS3EGATMA1.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Serie:
    OptiMOS™
    Verpackung/Gehäuse:
    8-PowerTDFN
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    FET-Typ:
    P-Channel
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    30 V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    9A (Ta), 39.5A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
    6V, 10V
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    18mOhm @ 20A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    3.1V @ 48µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    30 nC @ 10 V
    Vgs (Max):
    ±25V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    2220 pF @ 15 V
    FET-Funktion:
    -
    Leistungsverlust (Max):
    2.1W (Ta), 40W (Tc)
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    PG-TSDSON-8
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
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    Teilenr. BSZ180P03NS3EGATMA1
    Hersteller Infineon Technologies
    Series OptiMOS™
    Package/Case 8-PowerTDFN
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Active
    FET Type P-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 39.5A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 3.1V @ 48µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
    Vgs (Max) ±25V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 15 V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 40W (Tc)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package PG-TSDSON-8

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