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    Nexperia USA Inc. PSMN9R5-100PS,127

    Teilenr.:
    PSMN9R5-100PS,127
    Hersteller:
    Nexperia USA Inc.
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    TO-220-3
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikPSMN9R5-100PS,127.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 89A TO220AB
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    PSMN9R5-100PS,127 Spezifikationen

    Nexperia USA Inc. PSMN9R5-100PS,127 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. PSMN9R5-100PS,127.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Nexperia USA Inc.
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-220-3
    Verpackung:
    Tube
    Produktstatus:
    Obsolete
    FET-Typ:
    N-Channel
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    100 V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    89A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
    10V
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    9.6mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    4V @ 1mA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    82 nC @ 10 V
    Vgs (Max):
    ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    4454 pF @ 50 V
    FET-Funktion:
    -
    Leistungsverlust (Max):
    211W (Tc)
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-220AB
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
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    Bilder PSMN9R5-30YLC,115 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127
    Teilenr. PSMN9R5-30YLC,115 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127
    Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
    Series - - -
    Package/Case SC-100, SOT-669 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
    Product Status Active Active Obsolete
    FET Type N-Channel N-Channel N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 100 V 100 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Tc) 89A (Tc) 89A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 15A, 10V 9.6mOhm @ 15A, 10V 9.6mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
    Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 681 pF @ 15 V 4454 pF @ 50 V 4454 pF @ 50 V
    FET Feature - - -
    Power Dissipation (Max) 34W (Tc) 211W (Tc) 211W (Tc)
    Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
    Grade - - -
    Qualification - - -
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount Through Hole
    Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8 D2PAK TO-220AB

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