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    Littelfuse Inc. IXTT3N200P3HV

    Teilenr.:
    IXTT3N200P3HV
    Hersteller:
    Littelfuse Inc.
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikIXTT3N200P3HV.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
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    IXTT3N200P3HV Spezifikationen

    Littelfuse Inc. IXTT3N200P3HV technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Littelfuse Inc. IXTT3N200P3HV.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Littelfuse Inc.
    Serie:
    Polar P3™
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
    Verpackung:
    Tube
    Produktstatus:
    Active
    FET-Typ:
    N-Channel
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    2000 V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    3A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
    10V
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    8Ohm @ 1.5A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    5V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    70 nC @ 10 V
    Vgs (Max):
    ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    1860 pF @ 25 V
    FET-Funktion:
    -
    Leistungsverlust (Max):
    520W (Tc)
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-268HV (IXTT)
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
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    IXTT3N200P3HV Vergleich

    Bilder IXTT3N200P3HV
    Teilenr. IXTT3N200P3HV
    Hersteller Littelfuse Inc.
    Series Polar P3™
    Package/Case TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
    Packaging Tube
    Product Status Active
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 2000 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1.5A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
    Vgs (Max) ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1860 pF @ 25 V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package TO-268HV (IXTT)

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