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    Littelfuse Inc. IXTT12N150

    Teilenr.:
    IXTT12N150
    Hersteller:
    Littelfuse Inc.
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikIXTT12N150.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
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    IXTT12N150 Spezifikationen

    Littelfuse Inc. IXTT12N150 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Littelfuse Inc. IXTT12N150.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Littelfuse Inc.
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
    Verpackung:
    Tube
    Produktstatus:
    Active
    FET-Typ:
    N-Channel
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    1500 V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    12A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
    10V
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    2Ohm @ 6A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    4.5V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    106 nC @ 10 V
    Vgs (Max):
    ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    3720 pF @ 25 V
    FET-Funktion:
    -
    Leistungsverlust (Max):
    890W (Tc)
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-268AA
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

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    Bilder IXTT12N150 IXTT12N150HV-TRL
    Teilenr. IXTT12N150 IXTT12N150HV-TRL
    Hersteller Littelfuse Inc. Littelfuse Inc.
    Series - -
    Package/Case TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
    Packaging Tube Tape & Reel (TR)
    Product Status Active Active
    FET Type N-Channel N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 1500 V 1500 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc) 12A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 6A, 10V 2.2Ohm @ 6A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V 106 nC @ 10 V
    Vgs (Max) ±30V ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V 3720 pF @ 25 V
    FET Feature - -
    Power Dissipation (Max) 890W (Tc) 890W (Tc)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package TO-268AA TO-268HV (IXTT)

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