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    Littelfuse Inc. IXFX66N85X

    Teilenr.:
    IXFX66N85X
    Hersteller:
    Littelfuse Inc.
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    TO-247-3 Variant
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikIXFX66N85X.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
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    IXFX66N85X Spezifikationen

    Littelfuse Inc. IXFX66N85X technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Littelfuse Inc. IXFX66N85X.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Littelfuse Inc.
    Serie:
    HiPerFET™, Ultra X
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-247-3 Variant
    Verpackung:
    Tube
    Produktstatus:
    Active
    FET-Typ:
    N-Channel
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    850 V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    66A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
    10V
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    65mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    5.5V @ 8mA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    230 nC @ 10 V
    Vgs (Max):
    ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    8900 pF @ 25 V
    FET-Funktion:
    -
    Leistungsverlust (Max):
    1250W (Tc)
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    PLUS247™-3
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
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    IXFX66N85X Vergleich

    Bilder IXFX66N85X
    Teilenr. IXFX66N85X
    Hersteller Littelfuse Inc.
    Series HiPerFET™, Ultra X
    Package/Case TO-247-3 Variant
    Packaging Tube
    Product Status Active
    FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 850 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V
    Vgs (Max) ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 1250W (Tc)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Through Hole
    Supplier Device Package PLUS247™-3

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