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    International Rectifier IRFHE4250DTRPBF

    Teilenr.:
    IRFHE4250DTRPBF
    Hersteller:
    International Rectifier
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
    Verpackung:
    32-PowerVFQFN
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikIRFHE4250DTRPBF.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
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    IRFHE4250DTRPBF Spezifikationen

    International Rectifier IRFHE4250DTRPBF technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier IRFHE4250DTRPBF.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    International Rectifier
    Serie:
    HEXFET®
    Verpackung/Gehäuse:
    32-PowerVFQFN
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Active
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Konfiguration:
    2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion:
    -
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    25V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    86A (Tc), 303A (Tc)
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
    Leistung – Max:
    156W (Tc)
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    32-PQFN (6x6)
    Kategorie:
    FET-, MOSFET-Arrays
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    IRFHE4250DTRPBF Vergleich

    Bilder IRFHE4250DTRPBF
    Teilenr. IRFHE4250DTRPBF
    Hersteller International Rectifier
    Series HEXFET®
    Package/Case 32-PowerVFQFN
    Packaging Bulk
    Product Status Active
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Configuration 2 N-Channel (Dual)
    FET Feature -
    Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A (Tc), 303A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
    Power - Max 156W (Tc)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package 32-PQFN (6x6)

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