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    Infineon Technologies DF100R07W1H5FPB54BPSA2

    Teilenr.:
    DF100R07W1H5FPB54BPSA2
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Kategorie:
    IGBT Module
    Verpackung:
    Module
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikDF100R07W1H5FPB54BPSA2.pdf
    Beschreibung:
    IGBT MOD 650V 40A 20MW
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    DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Spezifikationen

    Infineon Technologies DF100R07W1H5FPB54BPSA2 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies DF100R07W1H5FPB54BPSA2.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Serie:
    EasyPACK™
    Verpackung/Gehäuse:
    Module
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Active
    IGBT-Typ:
    Trench Field Stop
    Konfiguration:
    2 Independent
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    650 V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    40 A
    Leistung – Max:
    -
    Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
    1.55V @ 15V, 25A
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    40 µA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce:
    2.8 nF @ 25 V
    Eingang:
    Standard
    NTC-Thermistor:
    Yes
    Betriebstemperatur:
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montageart:
    Chassis Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    Module
    Kategorie:
    IGBT Module
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    Hersteller Infineon Technologies
    Series EasyPACK™
    Package/Case Module
    Packaging Bulk
    Product Status Active
    IGBT Type Trench Field Stop
    Configuration 2 Independent
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V
    Current - Collector (Ic) (Max) 40 A
    Power - Max -
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 25A
    Current - Collector Cutoff (Max) 40 µA
    Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.8 nF @ 25 V
    Input Standard
    NTC Thermistor Yes
    Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Chassis Mount
    Supplier Device Package Module

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