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    Fairchild Semiconductor FPF2C8P2NL07A

    Teilenr.:
    FPF2C8P2NL07A
    Hersteller:
    Fairchild Semiconductor
    Kategorie:
    IGBT Module
    Verpackung:
    F2 Module
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikFPF2C8P2NL07A.pdf
    Beschreibung:
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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    FPF2C8P2NL07A Spezifikationen

    Fairchild Semiconductor FPF2C8P2NL07A technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor FPF2C8P2NL07A.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Fairchild Semiconductor
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    F2 Module
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Active
    IGBT-Typ:
    Field Stop
    Konfiguration:
    Three Phase
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    650 V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    30 A
    Leistung – Max:
    135 W
    Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
    2.2V @ 15V, 30A
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    250 µA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce:
    -
    Eingang:
    Standard
    NTC-Thermistor:
    Yes
    Betriebstemperatur:
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montageart:
    Chassis Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    F2
    Kategorie:
    IGBT Module
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

    (2)Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen

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    FPF2C8P2NL07A Vergleich

    Bilder FPF2C8P2NL07A
    Teilenr. FPF2C8P2NL07A
    Hersteller Fairchild Semiconductor
    Series -
    Package/Case F2 Module
    Packaging Bulk
    Product Status Active
    IGBT Type Field Stop
    Configuration Three Phase
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V
    Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
    Power - Max 135 W
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
    Current - Collector Cutoff (Max) 250 µA
    Input Capacitance (Cies) @ Vce -
    Input Standard
    NTC Thermistor Yes
    Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Chassis Mount
    Supplier Device Package F2

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