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    Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4419L

    Teilenr.:
    AO4419L
    Hersteller:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikAO4419L.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
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    AO4419L Spezifikationen

    Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4419L technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4419L.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Obsolete
    FET-Typ:
    P-Channel
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    30 V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    9.7A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
    4.5V, 10V
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    20mOhm @ 9.7A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    2.7V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    32 nC @ 10 V
    Vgs (Max):
    ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    1900 pF @ 15 V
    FET-Funktion:
    -
    Leistungsverlust (Max):
    3.1W (Ta)
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    8-SOIC
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
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    Teilenr. AO4419L
    Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Series -
    Package/Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging Bulk
    Product Status Obsolete
    FET Type P-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Ta)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.7A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
    Vgs (Max) ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V
    FET Feature -
    Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package 8-SOIC

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