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    Toshiba Semiconductor and Storage RN1962TE85LF

    Teilenr.:
    RN1962TE85LF
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Kategorie:
    Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
    Verpackung:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikRN1962TE85LF.pdf
    Beschreibung:
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
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    RN1962TE85LF Spezifikationen

    Toshiba Semiconductor and Storage RN1962TE85LF technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1962TE85LF.
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    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Transistortyp:
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    100mA
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    50V
    Widerstand - Basis (R1):
    10kOhms
    Widerstand - Emitter-Basis (R2):
    10kOhms
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    50 @ 10mA, 5V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    300mV @ 250µA, 5mA
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    100nA (ICBO)
    Frequenz - Übergang:
    250MHz
    Leistung – Max:
    500mW
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    US6
    Kategorie:
    Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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    RN1962TE85LF Vergleich

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    Teilenr. RN1962TE85LF
    Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
    Series -
    Package/Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Obsolete
    Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
    Resistor - Base (R1) 10kOhms
    Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
    Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
    Frequency - Transition 250MHz
    Power - Max 500mW
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package US6

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