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    Toshiba Semiconductor and Storage RN1910,LF(CT

    Teilenr.:
    RN1910,LF(CT
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Kategorie:
    Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
    Verpackung:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikRN1910,LF(CT.pdf
    Beschreibung:
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
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    RN1910,LF(CT Spezifikationen

    Toshiba Semiconductor and Storage RN1910,LF(CT technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1910,LF(CT.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Transistortyp:
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    100mA
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    50V
    Widerstand - Basis (R1):
    4.7kOhms
    Widerstand - Emitter-Basis (R2):
    -
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    120 @ 1mA, 5V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    300mV @ 250µA, 5mA
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    100nA (ICBO)
    Frequenz - Übergang:
    250MHz
    Leistung – Max:
    100mW
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    US6
    Kategorie:
    Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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    RN1910,LF(CT Vergleich

    Bilder RN1910,LF(CT RN1910FE,LXHF(CT RN1910,LXHF(CT RN1910FE,LF(CT RN1910FE(T5L,F,T)
    Teilenr. RN1910,LF(CT RN1910FE,LXHF(CT RN1910,LXHF(CT RN1910FE,LF(CT RN1910FE(T5L,F,T)
    Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
    Series - - - - -
    Package/Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    Product Status Active Active Active Active Active
    Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 100mA 100mA 100mA 100mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 50V 50V 50V 50V
    Resistor - Base (R1) 4.7kOhms 4.7kOhms 4.7kOhms 4.7kOhms 4.7kOhms
    Resistor - Emitter Base (R2) - - - - -
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V 120 @ 1mA, 5V 120 @ 1mA, 5V 120 @ 1mA, 5V 120 @ 1mA, 5V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA
    Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
    Frequency - Transition 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
    Power - Max 100mW 100mW 200mW 100mW 100mW
    Grade - Automotive Automotive - -
    Qualification - AEC-Q101 AEC-Q101 - -
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package US6 ES6 US6 ES6 ES6

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