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    Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF

    Teilenr.:
    HN3C10FUTE85LF
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Kategorie:
    Bipolare HF-Transistoren
    Verpackung:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikHN3C10FUTE85LF.pdf
    Beschreibung:
    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
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    HN3C10FUTE85LF Spezifikationen

    Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Transistortyp:
    2 NPN (Dual)
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    12V
    Frequenz - Übergang:
    7GHz
    Rauschzahl (dB Typ @ f):
    1.1dB @ 1GHz
    Verstärkung:
    11.5dB
    Leistung – Max:
    200mW
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    80 @ 20mA, 10V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    80mA
    Betriebstemperatur:
    -
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    US6
    Kategorie:
    Bipolare HF-Transistoren
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    HN3C10FUTE85LF Vergleich

    Bilder HN3C10FUTE85LF
    Teilenr. HN3C10FUTE85LF
    Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
    Series -
    Package/Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Obsolete
    Transistor Type 2 NPN (Dual)
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
    Frequency - Transition 7GHz
    Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
    Gain 11.5dB
    Power - Max 200mW
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
    Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
    Operating Temperature -
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package US6

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