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    Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-GR(TPL3

    Teilenr.:
    2SA2154MFV-GR(TPL3
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
    Verpackung:
    SOT-723
    Datenblatt:
    BomKey Elektronik2SA2154MFV-GR(TPL3.pdf
    Beschreibung:
    TRANS PNP 50V 0.15A VESM
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    2SA2154MFV-GR(TPL3 Spezifikationen

    Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-GR(TPL3 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-GR(TPL3.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    SOT-723
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Transistortyp:
    PNP
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    150 mA
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    50 V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    300mV @ 10mA, 100mA
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    100nA (ICBO)
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    200 @ 2mA, 6V
    Leistung – Max:
    150 mW
    Frequenz - Übergang:
    80MHz
    Betriebstemperatur:
    150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    VESM
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
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    Teilenr. 2SA2154MFV-Y,L3F 2SA2154MFVGR,L3F 2SA2154MFV-GR(TPL3
    Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
    Series - - -
    Package/Case SOT-723 SOT-723 SOT-723
    Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    Product Status Active Active Active
    Transistor Type PNP PNP PNP
    Current - Collector (Ic) (Max) 150 mA 150 mA 150 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V 50 V 50 V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 300mV @ 10mA, 100mA 300mV @ 10mA, 100mA
    Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V 200 @ 2mA, 6V 200 @ 2mA, 6V
    Power - Max 150 mW 150 mW 150 mW
    Frequency - Transition 80MHz 80MHz 80MHz
    Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
    Grade - - -
    Qualification - - -
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package VESM VESM VESM

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