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    Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325,H3F

    Teilenr.:
    1SV325,H3F
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Kategorie:
    Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)
    Verpackung:
    SC-79, SOD-523
    Datenblatt:
    BomKey Elektronik1SV325,H3F.pdf
    Beschreibung:
    DIODE VARACTOR 10V ESC
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    1SV325,H3F Spezifikationen

    Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325,H3F technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325,H3F.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    SC-79, SOD-523
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Kapazität @ Vr, F:
    12pF @ 4V, 1MHz
    Kapazitätsverhältnis:
    4.3
    Kapazitätsverhältnisbedingung:
    C1/C4
    Spannung - Spitzensperrspannung (Max):
    10 V
    Diodentyp:
    Single
    Q @ Vr, F:
    -
    Betriebstemperatur:
    125°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    ESC
    Kategorie:
    Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)
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    1SV325,H3F Vergleich

    Bilder 1SV325,H3F
    Teilenr. 1SV325,H3F
    Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
    Series -
    Package/Case SC-79, SOD-523
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Active
    Capacitance @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz
    Capacitance Ratio 4.3
    Capacitance Ratio Condition C1/C4
    Voltage - Peak Reverse (Max) 10 V
    Diode Type Single
    Q @ Vr, F -
    Operating Temperature 125°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package ESC

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