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    STMicroelectronics STGSH80HB65DAG

    Teilenr.:
    STGSH80HB65DAG
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Kategorie:
    IGBT Module
    Verpackung:
    9-PowerSMD
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikSTGSH80HB65DAG.pdf
    Beschreibung:
    Linear IC's
    Zahlung:
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    Versand:
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    STGSH80HB65DAG Spezifikationen

    STMicroelectronics STGSH80HB65DAG technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics STGSH80HB65DAG.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    STMicroelectronics
    Serie:
    HB
    Verpackung/Gehäuse:
    9-PowerSMD
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Active
    IGBT-Typ:
    -
    Konfiguration:
    Half Bridge
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    650 V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    83 A
    Leistung – Max:
    250 W
    Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
    2.1V @ 15V, 80A
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    -
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce:
    10450 pF @ 25 V
    Eingang:
    Standard
    NTC-Thermistor:
    No
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    9-ACEPACK SMIT
    Kategorie:
    IGBT Module
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    STGSH80HB65DAG Vergleich

    Bilder STGSH80HB65DAG
    Teilenr. STGSH80HB65DAG
    Hersteller STMicroelectronics
    Series HB
    Package/Case 9-PowerSMD
    Packaging Bulk
    Product Status Active
    IGBT Type -
    Configuration Half Bridge
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V
    Current - Collector (Ic) (Max) 83 A
    Power - Max 250 W
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 80A
    Current - Collector Cutoff (Max) -
    Input Capacitance (Cies) @ Vce 10450 pF @ 25 V
    Input Standard
    NTC Thermistor No
    Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package 9-ACEPACK SMIT

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