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    onsemi NSVMMBTH81LT3G

    Teilenr.:
    NSVMMBTH81LT3G
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    Bipolare HF-Transistoren
    Verpackung:
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikNSVMMBTH81LT3G.pdf
    Beschreibung:
    SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
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    NSVMMBTH81LT3G Spezifikationen

    onsemi NSVMMBTH81LT3G technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi NSVMMBTH81LT3G.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Transistortyp:
    PNP
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    20V
    Frequenz - Übergang:
    600MHz
    Rauschzahl (dB Typ @ f):
    -
    Verstärkung:
    -
    Leistung – Max:
    225mW
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    60 @ 5mA, 10V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    50mA
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    SOT-23-3
    Kategorie:
    Bipolare HF-Transistoren
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

    (2)Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen

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    NSVMMBTH81LT3G Vergleich

    Bilder NSVMMBTH81LT3G
    Teilenr. NSVMMBTH81LT3G
    Hersteller onsemi
    Series -
    Package/Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Active
    Transistor Type PNP
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
    Frequency - Transition 600MHz
    Noise Figure (dB Typ @ f) -
    Gain -
    Power - Max 225mW
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
    Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package SOT-23-3

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