Bomkey (HK) Elektronik GmbH!

    onsemi NDC10170A

    Teilenr.:
    NDC10170A
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    Einzeldioden
    Verpackung:
    Die
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikNDC10170A.pdf
    Beschreibung:
    SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY D
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    NDC10170A Spezifikationen

    onsemi NDC10170A technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi NDC10170A.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    Die
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Discontinued at Digi-Key
    Technologie:
    SiC (Silicon Carbide) Schottky
    Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max):
    1700 V
    Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io):
    10A
    Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If:
    1.5 V @ 10 A
    Geschwindigkeit:
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    Sperrerholungszeit (trr):
    0 ns
    Strom - Sperrleck @ Vr:
    40 µA @ 1700 V
    Kapazität @ Vr, F:
    856pF @ 1V, 100kHz
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    Wafer
    Betriebstemperatur - Sperrschicht:
    -55°C ~ 175°C
    Kategorie:
    Einzeldioden
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    (1)Zum Beispiel Mängel in der Menge, Lieferung falscher Artikel und offensichtliche äußere Defekte (Bruch und Rost usw.), und wir erkennen solche Probleme an.

    (2)Wir werden innerhalb von 90 Tagen nach Lieferung der NDC10170A.

    (3)über die oben beschriebenen Mängel informiert.

    Der PartNo ist unbenutzt und nur in der originalen ungeöffneten Verpackung:

    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

    (2)Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen

    7.Erhalten Sie eine Rückgabeautorisierung NDC10170A Pin-Diagramm, NDC10170A Datenblatt?

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    NDC10170A Vergleich

    Bilder NDC10170A
    Teilenr. NDC10170A
    Hersteller onsemi
    Series -
    Package/Case Die
    Packaging Bulk
    Product Status Discontinued at Digi-Key
    Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
    Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1700 V
    Current - Average Rectified (Io) 10A
    Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 10 A
    Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
    Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 1700 V
    Capacitance @ Vr, F 856pF @ 1V, 100kHz
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package Wafer
    Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C

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