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    onsemi MMBTH10LT1

    Teilenr.:
    MMBTH10LT1
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    Bipolare HF-Transistoren
    Verpackung:
    -
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikMMBTH10LT1.pdf
    Beschreibung:
    TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
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    MMBTH10LT1 Spezifikationen

    onsemi MMBTH10LT1 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi MMBTH10LT1.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    *
    Verpackung/Gehäuse:
    -
    Verpackung:
    Cut Tape (CT)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Transistortyp:
    -
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    -
    Frequenz - Übergang:
    -
    Rauschzahl (dB Typ @ f):
    -
    Verstärkung:
    -
    Leistung – Max:
    -
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    -
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    -
    Betriebstemperatur:
    -
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    -
    Lieferant Gerätepaket:
    -
    Kategorie:
    Bipolare HF-Transistoren
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    Alle Waren unterliegen einer Vorabversandkontrolle (PSI), bei der zufällig aus allen Chargen Ihrer Bestellung ausgewählt wird, um eine systematische Überprüfung vor der Versandabwicklung durchzuführen. Wenn es ein Problem mit den MMBTH10LT1 gibt, die wir geliefert haben, akzeptieren wir den Austausch oder die Rückgabe der MMBTH10LT1 nur, wenn alle unten genannten Bedingungen erfüllt sind:

    (1)Zum Beispiel Mängel in der Menge, Lieferung falscher Artikel und offensichtliche äußere Defekte (Bruch und Rost usw.), und wir erkennen solche Probleme an.

    (2)Wir werden innerhalb von 90 Tagen nach Lieferung der MMBTH10LT1.

    (3)über die oben beschriebenen Mängel informiert.

    Der PartNo ist unbenutzt und nur in der originalen ungeöffneten Verpackung:

    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

    (2)Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen

    7.Erhalten Sie eine Rückgabeautorisierung MMBTH10LT1 Pin-Diagramm, MMBTH10LT1 Datenblatt?

    Wenn Sie einen After-Sales-Service benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

    MMBTH10LT1 Vergleich

    Bilder MMBTH10LT1G MMBTH10LT1
    Teilenr. MMBTH10LT1G MMBTH10LT1
    Hersteller onsemi onsemi
    Series - *
    Package/Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
    Packaging Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
    Product Status Active Obsolete
    Transistor Type NPN -
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V -
    Frequency - Transition 650MHz -
    Noise Figure (dB Typ @ f) - -
    Gain - -
    Power - Max 225mW -
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V -
    Current - Collector (Ic) (Max) - -
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Surface Mount -
    Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236) -

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