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    onsemi KSC388CYTA

    Teilenr.:
    KSC388CYTA
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
    Verpackung:
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikKSC388CYTA.pdf
    Beschreibung:
    TRANS NPN 25V 0.05A TO-92-3
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    KSC388CYTA Spezifikationen

    onsemi KSC388CYTA technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi KSC388CYTA.
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    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
    Verpackung:
    Cut Tape (CT)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Transistortyp:
    NPN
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    50 mA
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    25 V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    200mV @ 1.5mA, 15mA
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    100nA (ICBO)
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    20 @ 12.5mA, 12.5V
    Leistung – Max:
    300 mW
    Frequenz - Übergang:
    300MHz
    Betriebstemperatur:
    150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-92-3
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
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    Der PartNo ist unbenutzt und nur in der originalen ungeöffneten Verpackung:

    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

    (2)Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen

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    Bilder KSC388CYTA KSC388CYTA
    Teilenr. KSC388CYTA KSC388CYTA
    Hersteller onsemi onsemi
    Series - -
    Package/Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
    Packaging Cut Tape (CT) Bulk
    Product Status Obsolete Active
    Transistor Type NPN NPN
    Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA 50 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V 25 V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 1.5mA, 15mA 200mV @ 1.5mA, 15mA
    Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 12.5mA, 12.5V 20 @ 12.5mA, 12.5V
    Power - Max 300 mW 300 mW
    Frequency - Transition 300MHz 300MHz
    Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Through Hole Through Hole
    Supplier Device Package TO-92-3 TO-92-3

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