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    onsemi FJV3105RMTF

    Teilenr.:
    FJV3105RMTF
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
    Verpackung:
    -
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikFJV3105RMTF.pdf
    Beschreibung:
    TRANS PREBIAS
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    FJV3105RMTF Spezifikationen

    onsemi FJV3105RMTF technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi FJV3105RMTF.
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    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    *
    Verpackung/Gehäuse:
    -
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Active
    Transistortyp:
    -
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    -
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    -
    Widerstand - Basis (R1):
    -
    Widerstand - Emitter-Basis (R2):
    -
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    -
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    -
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    -
    Frequenz - Übergang:
    -
    Leistung – Max:
    -
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    -
    Lieferant Gerätepaket:
    -
    Kategorie:
    Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
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    FJV3105RMTF Vergleich

    Bilder FJV3105RMTF FJV3105RMTF
    Teilenr. FJV3105RMTF FJV3105RMTF
    Hersteller onsemi onsemi
    Series - *
    Package/Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
    Packaging Tape & Reel (TR) Bulk
    Product Status Obsolete Active
    Transistor Type NPN - Pre-Biased -
    Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA -
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V -
    Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms -
    Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms -
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V -
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA -
    Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) -
    Frequency - Transition 250 MHz -
    Power - Max 200 mW -
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Surface Mount -
    Supplier Device Package SOT-23-3 -

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