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    onsemi FJP2160DTU

    Teilenr.:
    FJP2160DTU
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
    Verpackung:
    TO-220-3
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikFJP2160DTU.pdf
    Beschreibung:
    TRANS NPN 800V 2A TO-220-3
    Zahlung:
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    FJP2160DTU Spezifikationen

    onsemi FJP2160DTU technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi FJP2160DTU.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    ESBC™
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-220-3
    Verpackung:
    Tube
    Produktstatus:
    Obsolete
    Transistortyp:
    NPN
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    2 A
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    800 V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    750mV @ 330mA, 1A
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    100µA
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    20 @ 400mA, 3V
    Leistung – Max:
    100 W
    Frequenz - Übergang:
    5MHz
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 125°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-220-3
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
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    (3)über die oben beschriebenen Mängel informiert.

    Der PartNo ist unbenutzt und nur in der originalen ungeöffneten Verpackung:

    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

    (2)Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen

    7.Erhalten Sie eine Rückgabeautorisierung FJP2160DTU Pin-Diagramm, FJP2160DTU Datenblatt?

    Wenn Sie einen After-Sales-Service benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

    FJP2160DTU Vergleich

    Bilder FJP2160DTU FJP2160DTU
    Teilenr. FJP2160DTU FJP2160DTU
    Hersteller onsemi onsemi
    Series ESBC™ ESBC™
    Package/Case TO-220-3 TO-220-3
    Packaging Tube Bulk
    Product Status Obsolete Active
    Transistor Type NPN NPN
    Current - Collector (Ic) (Max) 2 A 2 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 800 V 800 V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 330mA, 1A 750mV @ 330mA, 1A
    Current - Collector Cutoff (Max) 100µA 100µA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 400mA, 3V 20 @ 400mA, 3V
    Power - Max 100 W 100 W
    Frequency - Transition 5MHz 5MHz
    Operating Temperature -55°C ~ 125°C (TJ) -55°C ~ 125°C (TJ)
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Through Hole Through Hole
    Supplier Device Package TO-220-3 TO-220-3

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