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    onsemi EMF23XV6T5G

    Teilenr.:
    EMF23XV6T5G
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
    Verpackung:
    SOT-563, SOT-666
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikEMF23XV6T5G.pdf
    Beschreibung:
    DUAL NPN/PNP COMPLEMENTARY TRANS
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    EMF23XV6T5G Spezifikationen

    onsemi EMF23XV6T5G technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi EMF23XV6T5G.
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    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    SOT-563, SOT-666
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Discontinued at Digi-Key
    Transistortyp:
    1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    100mA
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    50V, 60V
    Widerstand - Basis (R1):
    10kOhms
    Widerstand - Emitter-Basis (R2):
    10kOhms
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    35 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    500nA, 500pA (ICBO)
    Frequenz - Übergang:
    140MHz
    Leistung – Max:
    357mW
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    SOT-563
    Kategorie:
    Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

    (2)Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen

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    Hersteller onsemi onsemi
    Series - -
    Package/Case SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
    Packaging Bulk Bulk
    Product Status Active Discontinued at Digi-Key
    Transistor Type 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
    Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 100mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 60V 50V, 60V
    Resistor - Base (R1) 10kOhms 10kOhms
    Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms 10kOhms
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V 35 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max) 500nA, 500pA (ICBO) 500nA, 500pA (ICBO)
    Frequency - Transition 140MHz 140MHz
    Power - Max 357mW 357mW
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Surface Mount Surface Mount
    Supplier Device Package SOT-563 SOT-563

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