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    onsemi BC516_L34Z

    Teilenr.:
    BC516_L34Z
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
    Verpackung:
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikBC516_L34Z.pdf
    Beschreibung:
    TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92-3
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    BC516_L34Z Spezifikationen

    onsemi BC516_L34Z technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi BC516_L34Z.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Obsolete
    Transistortyp:
    PNP - Darlington
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    1 A
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    30 V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    1V @ 100µA, 100mA
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    100nA (ICBO)
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    30000 @ 20mA, 2V
    Leistung – Max:
    625 mW
    Frequenz - Übergang:
    200MHz
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-92-3
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
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    BC516_L34Z Vergleich

    Bilder BC516_L34Z
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    Hersteller onsemi
    Series -
    Package/Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    Packaging Bulk
    Product Status Obsolete
    Transistor Type PNP - Darlington
    Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
    Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30000 @ 20mA, 2V
    Power - Max 625 mW
    Frequency - Transition 200MHz
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Through Hole
    Supplier Device Package TO-92-3

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