Bomkey (HK) Elektronik GmbH!

    onsemi 2N5551TFR

    Teilenr.:
    2N5551TFR
    Hersteller:
    onsemi
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
    Verpackung:
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
    Datenblatt:
    BomKey Elektronik2N5551TFR.pdf
    Beschreibung:
    TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
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    2N5551TFR Spezifikationen

    onsemi 2N5551TFR technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi 2N5551TFR.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    onsemi
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Transistortyp:
    NPN
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    600 mA
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    160 V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    200mV @ 5mA, 50mA
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    50nA (ICBO)
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    80 @ 10mA, 5V
    Leistung – Max:
    625 mW
    Frequenz - Übergang:
    100MHz
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-92-3
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
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    Teilenr. 2N5551TFR
    Hersteller onsemi
    Series -
    Package/Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Active
    Transistor Type NPN
    Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
    Power - Max 625 mW
    Frequency - Transition 100MHz
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Through Hole
    Supplier Device Package TO-92-3

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