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    NXP USA Inc. AFG24S100HR5

    Teilenr.:
    AFG24S100HR5
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Kategorie:
    Einzel-FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    NI-360H-2SB
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikAFG24S100HR5.pdf
    Beschreibung:
    RF MOSFET LDMOS NI360
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    AFG24S100HR5 Spezifikationen

    NXP USA Inc. AFG24S100HR5 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. AFG24S100HR5.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    NXP USA Inc.
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    NI-360H-2SB
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Technologie:
    LDMOS
    Konfiguration:
    -
    Frequenz:
    1MHz ~ 2.5GHz
    Verstärkung:
    16.3dB
    Spannung - Test:
    -
    Stromstärke (Ampere):
    -
    Rauschzahl:
    -
    Strom - Test:
    -
    Leistung - Ausgang:
    100W
    Spannung - Nenn:
    50 V
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Chassis Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    NI-360H-2SB
    Kategorie:
    Einzel-FETs, MOSFETs
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

    (2)Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen

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    AFG24S100HR5 Vergleich

    Bilder AFG24S100HR5
    Teilenr. AFG24S100HR5
    Hersteller NXP USA Inc.
    Series -
    Package/Case NI-360H-2SB
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Obsolete
    Technology LDMOS
    Configuration -
    Frequency 1MHz ~ 2.5GHz
    Gain 16.3dB
    Voltage - Test -
    Current Rating (Amps) -
    Noise Figure -
    Current - Test -
    Power - Output 100W
    Voltage - Rated 50 V
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Chassis Mount
    Supplier Device Package NI-360H-2SB

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