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    NXP USA Inc. A2T20H330W24NR6

    Teilenr.:
    A2T20H330W24NR6
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Kategorie:
    Einzel-FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    OM-1230-4L2L
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikA2T20H330W24NR6.pdf
    Beschreibung:
    RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42
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    A2T20H330W24NR6 Spezifikationen

    NXP USA Inc. A2T20H330W24NR6 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. A2T20H330W24NR6.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    NXP USA Inc.
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    OM-1230-4L2L
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Obsolete
    Technologie:
    LDMOS
    Konfiguration:
    -
    Frequenz:
    1.88GHz ~ 2.025GHz
    Verstärkung:
    15.9dB
    Spannung - Test:
    28 V
    Stromstärke (Ampere):
    10µA
    Rauschzahl:
    -
    Strom - Test:
    700 mA
    Leistung - Ausgang:
    229W
    Spannung - Nenn:
    65 V
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Chassis Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    OM-1230-4L2L
    Kategorie:
    Einzel-FETs, MOSFETs
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    A2T20H330W24NR6 Vergleich

    Bilder A2T20H330W24NR6
    Teilenr. A2T20H330W24NR6
    Hersteller NXP USA Inc.
    Series -
    Package/Case OM-1230-4L2L
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Obsolete
    Technology LDMOS
    Configuration -
    Frequency 1.88GHz ~ 2.025GHz
    Gain 15.9dB
    Voltage - Test 28 V
    Current Rating (Amps) 10µA
    Noise Figure -
    Current - Test 700 mA
    Power - Output 229W
    Voltage - Rated 65 V
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Chassis Mount
    Supplier Device Package OM-1230-4L2L

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