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    NXP USA Inc. 1PS66SB82115

    Teilenr.:
    1PS66SB82115
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Kategorie:
    HF-Dioden
    Verpackung:
    SOT-563, SOT-666
    Datenblatt:
    BomKey Elektronik1PS66SB82115.pdf
    Beschreibung:
    NOW NEXPERIA 1PS66SB82 - MIXER D
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    1PS66SB82115 Spezifikationen

    NXP USA Inc. 1PS66SB82115 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. 1PS66SB82115.
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    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    NXP USA Inc.
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    SOT-563, SOT-666
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Active
    Diodentyp:
    Schottky - 3 Independent
    Spannung - Spitzensperrspannung (Max):
    15V
    Strom - Max:
    30 mA
    Kapazität @ Vr, F:
    1pF @ 0V, 1MHz
    Widerstand @ If, F:
    12Ohm @ 5mA, 1kHz
    Leistungsverlust (Max):
    -
    Betriebstemperatur:
    125°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Lieferant Gerätepaket:
    SOT-666
    Kategorie:
    HF-Dioden
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    Teilenr. 1PS66SB82115
    Hersteller NXP USA Inc.
    Series -
    Package/Case SOT-563, SOT-666
    Packaging Bulk
    Product Status Active
    Diode Type Schottky - 3 Independent
    Voltage - Peak Reverse (Max) 15V
    Current - Max 30 mA
    Capacitance @ Vr, F 1pF @ 0V, 1MHz
    Resistance @ If, F 12Ohm @ 5mA, 1kHz
    Power Dissipation (Max) -
    Operating Temperature 125°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Supplier Device Package SOT-666

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