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    Infineon Technologies IRF540NL

    Teilenr.:
    IRF540NL
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
    Verpackung:
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikIRF540NL.pdf
    Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 33A TO262
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    IRF540NL Spezifikationen

    Infineon Technologies IRF540NL technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies IRF540NL.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Serie:
    HEXFET®
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Verpackung:
    Tube
    Produktstatus:
    Obsolete
    FET-Typ:
    N-Channel
    Technologie:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss):
    100 V
    Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
    33A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
    10V
    Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
    44mOhm @ 16A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id:
    4V @ 250µA
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
    71 nC @ 10 V
    Vgs (Max):
    ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
    1960 pF @ 25 V
    FET-Funktion:
    -
    Leistungsverlust (Max):
    130W (Tc)
    Betriebstemperatur:
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-262
    Kategorie:
    FETs, MOSFETs
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

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    IRF540NL Vergleich

    Bilder IRF540NL IRF540NLPBF
    Teilenr. IRF540NL IRF540NLPBF
    Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies
    Series HEXFET® HEXFET®
    Package/Case TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging Tube Tube
    Product Status Obsolete Obsolete
    FET Type N-Channel N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 100 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc) 33A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
    Vgs (Max) ±20V ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V
    FET Feature - -
    Power Dissipation (Max) 130W (Tc) 130W (Tc)
    Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
    Grade - -
    Qualification - -
    Mounting Type Through Hole Through Hole
    Supplier Device Package TO-262 TO-262

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