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    Infineon Technologies BFP620FH7764XTSA1

    Teilenr.:
    BFP620FH7764XTSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Kategorie:
    Bipolare HF-Transistoren
    Verpackung:
    4-SMD, Flat Leads
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikBFP620FH7764XTSA1.pdf
    Beschreibung:
    RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP
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    BFP620FH7764XTSA1 Spezifikationen

    Infineon Technologies BFP620FH7764XTSA1 technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies BFP620FH7764XTSA1.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    4-SMD, Flat Leads
    Verpackung:
    Tape & Reel (TR)
    Produktstatus:
    Active
    Transistortyp:
    NPN
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    2.8V
    Frequenz - Übergang:
    65GHz
    Rauschzahl (dB Typ @ f):
    0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Verstärkung:
    21dB ~ 10dB
    Leistung – Max:
    185mW
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    110 @ 50mA, 1.5V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    80mA
    Betriebstemperatur:
    150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Surface Mount
    Lieferant Gerätepaket:
    4-TSFP
    Kategorie:
    Bipolare HF-Transistoren
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    BFP620FH7764XTSA1 Vergleich

    Bilder BFP620FH7764XTSA1
    Teilenr. BFP620FH7764XTSA1
    Hersteller Infineon Technologies
    Series -
    Package/Case 4-SMD, Flat Leads
    Packaging Tape & Reel (TR)
    Product Status Active
    Transistor Type NPN
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2.8V
    Frequency - Transition 65GHz
    Noise Figure (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Gain 21dB ~ 10dB
    Power - Max 185mW
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 50mA, 1.5V
    Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
    Operating Temperature 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Surface Mount
    Supplier Device Package 4-TSFP

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