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    Fairchild Semiconductor BD535J

    Teilenr.:
    BD535J
    Hersteller:
    Fairchild Semiconductor
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
    Verpackung:
    TO-220-3
    Datenblatt:
    BomKey ElektronikBD535J.pdf
    Beschreibung:
    TRANS NPN 60V 8A TO-220-3
    Zahlung:
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    BD535J Spezifikationen

    Fairchild Semiconductor BD535J technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor BD535J.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Fairchild Semiconductor
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-220-3
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Obsolete
    Transistortyp:
    NPN
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    8 A
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    60 V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    800mV @ 200mA, 2A
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    100µA
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    30 @ 2A, 2V
    Leistung – Max:
    50 W
    Frequenz - Übergang:
    12MHz
    Betriebstemperatur:
    150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-220-3
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
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    (1)Zwei Prozesse zur Rückgabe der Produkte

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    Bilder BD535J
    Teilenr. BD535J
    Hersteller Fairchild Semiconductor
    Series -
    Package/Case TO-220-3
    Packaging Bulk
    Product Status Obsolete
    Transistor Type NPN
    Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A
    Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2A, 2V
    Power - Max 50 W
    Frequency - Transition 12MHz
    Operating Temperature 150°C (TJ)
    Grade -
    Qualification -
    Mounting Type Through Hole
    Supplier Device Package TO-220-3

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