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    Fairchild Semiconductor 2N5550/D26Z

    Teilenr.:
    2N5550/D26Z
    Hersteller:
    Fairchild Semiconductor
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
    Verpackung:
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
    Datenblatt:
    BomKey Elektronik2N5550/D26Z.pdf
    Beschreibung:
    TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
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    2N5550/D26Z Spezifikationen

    Fairchild Semiconductor 2N5550/D26Z technische Spezifikationen, Eigenschaften, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor 2N5550/D26Z.
    • Spezifikationen
    • Häufig gestellte Fragen
    Eigenschaften
    Eigenschaftswert
    Hersteller
    Fairchild Semiconductor
    Serie:
    -
    Verpackung/Gehäuse:
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
    Verpackung:
    Bulk
    Produktstatus:
    Active
    Transistortyp:
    NPN
    Strom - Kollektor (Ic) (Max):
    600 mA
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
    140 V
    Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
    250mV @ 5mA, 50mA
    Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
    100nA (ICBO)
    DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
    60 @ 10mA, 5V
    Leistung – Max:
    625 mW
    Frequenz - Übergang:
    300MHz
    Betriebstemperatur:
    150°C (TJ)
    Klasse:
    -
    Qualifizierung:
    -
    Montageart:
    Through Hole
    Lieferant Gerätepaket:
    TO-92-3
    Kategorie:
    Einzelne Bipolartransistoren
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    Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
    Series - - - -
    Package/Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
    Packaging Bulk Bulk Bulk Bulk
    Product Status Obsolete Active Active Active
    Transistor Type NPN NPN NPN NPN
    Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140 V 140 V 140 V 140 V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V
    Power - Max 625 mW 625 mW 625 mW 625 mW
    Frequency - Transition 300MHz 300MHz 300MHz 300MHz
    Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
    Grade - - - -
    Qualification - - - -
    Mounting Type Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
    Supplier Device Package TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

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