Bomkey (HK) Elektronik GmbH!

    Einzeldioden

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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    CMPSH1-4L BK PBFREE

    CMPSH1-4L BK PBFREE

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23F

    Central Semiconductor Corp

    5,411
    RFQ
    CMPSH1-4L BK PBFREE

    Datenblatt

    - SOT-23-3 Flat Leads Bulk Obsolete Schottky 40 V 1A 390 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 30 V 50pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23F -65°C ~ 125°C
    GC9703-00

    GC9703-00

    DIODE SCHOTTKY 8V 10MA CHIP

    Microchip Technology

    8,148
    RFQ
    GC9703-00

    Datenblatt

    - Die Tray Active Schottky 8 V 10mA 350 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 nA @ 1 V 1.2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount Chip -55°C ~ 150°C
    GC9704-00

    GC9704-00

    DIODE SCHOTTKY 5V 10MA CHIP

    Microchip Technology

    6,508
    RFQ
    GC9704-00

    Datenblatt

    - Die Tray Active Schottky 5 V 10mA 600 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 nA @ 1 V 0.8pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount Chip -55°C ~ 150°C
    GC9704-150A

    GC9704-150A

    DIODE SCHOTTKY 5V 10MA CHIP

    Microchip Technology

    6,096
    RFQ
    GC9704-150A

    Datenblatt

    - Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 5 V 10mA 600 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 nA @ 1 V 0.8pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount Chip -55°C ~ 150°C
    JTXV1N5822US

    JTXV1N5822US

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A

    Semtech Corporation

    8,958
    RFQ
    JTXV1N5822US

    Datenblatt

    - SQ-MELF Bulk Active Schottky 40 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - - - Surface Mount - -65°C ~ 125°C
    JTX1N5822US

    JTX1N5822US

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A

    Semtech Corporation

    8,502
    RFQ
    JTX1N5822US

    Datenblatt

    - SQ-MELF Bulk Active Schottky 40 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - - - Surface Mount - -65°C ~ 125°C
    SUF4001-CT

    SUF4001-CT

    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

    Diotec Semiconductor

    5,636
    RFQ
    SUF4001-CT

    Datenblatt

    - DO-213AB, MELF Strip Active Standard 50 V 1A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 50 V - - - Surface Mount DO-213AB -50°C ~ 175°C
    SUF4005-CT

    SUF4005-CT

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

    Diotec Semiconductor

    8,675
    RFQ
    SUF4005-CT

    Datenblatt

    - DO-213AB, MELF Strip Active Standard 600 V 1A 1.7 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 600 V - - - Surface Mount DO-213AB -50°C ~ 175°C
    SUF4007-CT

    SUF4007-CT

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

    Diotec Semiconductor

    8,467
    RFQ
    SUF4007-CT

    Datenblatt

    - DO-213AB, MELF Strip Active Standard 1000 V 1A 1.7 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 1 V - - - Surface Mount DO-213AB -50°C ~ 175°C
    SUF4006-CT

    SUF4006-CT

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

    Diotec Semiconductor

    6,311
    RFQ
    SUF4006-CT

    Datenblatt

    - DO-213AB, MELF Strip Active Standard 800 V 1A 1.7 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 800 V - - - Surface Mount DO-213AB -50°C ~ 175°C
    BAS16QA147

    BAS16QA147

    NOW NEXPERIA BAS16QA - RECTIFIER

    NXP USA Inc.

    4,155
    RFQ
    BAS16QA147

    Datenblatt

    - 3-XDFN Exposed Pad Bulk Active Standard 100 V 290mA 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 500 nA @ 80 V 1.5pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN1010D-3 150°C
    ES1D

    ES1D

    DIODE GP 200V 1A DO214AC SMA

    Fairchild Semiconductor

    7,843
    RFQ
    ES1D

    Datenblatt

    - DO-214AC, SMA Bulk Active Standard 200 V 1A 920 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15 ns 5 µA @ 200 V - - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -50°C ~ 150°C
    EGP30B

    EGP30B

    DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

    Fairchild Semiconductor

    8,751
    RFQ
    EGP30B

    Datenblatt

    - DO-201AD, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 950 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 100 V 95pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
    PMEG3020EGW115

    PMEG3020EGW115

    NOW NEXPERIA PMEG3020EGW RECTIFI

    Nexperia USA Inc.

    2,224
    RFQ
    PMEG3020EGW115

    Datenblatt

    - SOD-123 Bulk Active Schottky 30 V 2A 620 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 30 V 60pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOD-123 150°C
    PMEG2002ESF,315

    PMEG2002ESF,315

    DIODE SCHOTT 20V 200MA DSN0603-2

    NXP USA Inc.

    6,870
    RFQ
    PMEG2002ESF,315

    Datenblatt

    - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 20 V 200mA 490 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.9 ns 3.5 µA @ 20 V 25pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 125°C (Max)
    S1G

    S1G

    DIODE GP 400V 1A DO214AC SMA

    Fairchild Semiconductor

    9,676
    RFQ
    S1G

    Datenblatt

    - DO-214AC, SMA Bulk Active Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 400 V - - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -50°C ~ 150°C
    1N4001

    1N4001

    DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

    EIC SEMICONDUCTOR INC.

    9,770
    RFQ
    1N4001

    Datenblatt

    - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 50 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 50 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
    RGF1M-7000HE3_B/I

    RGF1M-7000HE3_B/I

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    9,825
    RFQ
    RGF1M-7000HE3_B/I

    Datenblatt

    Superectifier® DO-214BA Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 1000 V 8.5pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214BA (GF1) -65°C ~ 175°C
    EGF1B-1HE3_B/I

    EGF1B-1HE3_B/I

    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    9,814
    RFQ
    EGF1B-1HE3_B/I

    Datenblatt

    Superectifier® DO-214BA Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 100 V 15pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214BA (GF1) -65°C ~ 175°C
    EGF1D-2HE3_B/H

    EGF1D-2HE3_B/H

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    9,595
    RFQ
    EGF1D-2HE3_B/H

    Datenblatt

    Superectifier® DO-214BA Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 200 V 15pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214BA (GF1) -65°C ~ 175°C
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