Bomkey (HK) Elektronik GmbH!

    Einzeldioden

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

    Alle zurücksetzen
    Alle anwenden
    Ergebnis
    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
    C4D30120H

    C4D30120H

    DIODE SIL CARB 1.2KV 94A TO247-2

    Wolfspeed, Inc.

    780
    RFQ
    C4D30120H

    Datenblatt

    - TO-247-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 94A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 2177pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    C6D50065H

    C6D50065H

    SIC, SCHOTTKY DIODE, 136A, 650V,

    Wolfspeed, Inc.

    1,383
    RFQ
    C6D50065H

    Datenblatt

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 136A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 100 µA @ 650 V 2819pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    C4D20120A

    C4D20120A

    DIODE SIL CARB 1.2KV 54.5A TO220

    Wolfspeed, Inc.

    5,493
    RFQ
    C4D20120A

    Datenblatt

    Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54.5A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
    LSIC2SD120D20A

    LSIC2SD120D20A

    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A TO2

    Littelfuse Inc.

    750
    RFQ
    LSIC2SD120D20A

    Datenblatt

    Gen2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 55A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 1310pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
    UJ3D1250K

    UJ3D1250K

    DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3

    Qorvo

    6,427
    RFQ
    UJ3D1250K

    Datenblatt

    - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 2340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
    VS-T40HF60

    VS-T40HF60

    DIODE GEN PURP 600V 40A D-55

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    124
    RFQ
    VS-T40HF60

    Datenblatt

    - D-55 T-Module Bulk Active Standard 600 V 40A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 600 V - - - Chassis Mount D-55 -
    VS-HFA135NH40PBF

    VS-HFA135NH40PBF

    DIODE GEN PURP 400V 275A D-67

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    136
    RFQ
    VS-HFA135NH40PBF

    Datenblatt

    HEXFRED® D-67 HALF-PAK Bulk Active Standard 400 V 275A 2 V @ 270 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 3 mA @ 400 V - - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
    STTH200F04TV1

    STTH200F04TV1

    DIODE GEN PURP 400V 100A ISOTOP

    STMicroelectronics

    136
    RFQ
    STTH200F04TV1

    Datenblatt

    - ISOTOP Tube Active Standard 400 V 100A 1.45 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 75 µA @ 400 V - - - Chassis Mount ISOTOP -55°C ~ 150°C
    VS-243NQ100PBF

    VS-243NQ100PBF

    DIODE SCHOTTKY 100V 240A D-67

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    168
    RFQ
    VS-243NQ100PBF

    Datenblatt

    - D-67 HALF-PAK Bulk Active Schottky 100 V 240A 950 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 100 V 5500pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -55°C ~ 175°C
    C6D25170H

    C6D25170H

    2 5A 1700V SIC, SCHOTTKY DIODE

    Wolfspeed, Inc.

    539
    RFQ
    C6D25170H

    Datenblatt

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 83A 1.7 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 45 µA @ 1700 V 3108pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    VS-T85HFL100S05

    VS-T85HFL100S05

    DIODE GEN PURP 1KV 85A D-55

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    368
    RFQ
    VS-T85HFL100S05

    Datenblatt

    - D-55 T-Module Bulk Active Standard 1000 V 85A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 20 mA @ 1000 V - - - Chassis Mount D-55 -
    VS-400UR120D

    VS-400UR120D

    DIODE GP REV 1.2KV 400A DO205AB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    4,561
    RFQ
    VS-400UR120D

    Datenblatt

    - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Last Time Buy Standard, Reverse Polarity 1200 V 400A 1.62 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 1200 V - - - Stud Mount DO-205AB (DO-9) -40°C ~ 200°C
    406DMQ200

    406DMQ200

    DIODE SCHOTTKY 200V 200A PRM4

    SMC Diode Solutions

    4,216
    RFQ
    406DMQ200

    Datenblatt

    - PRM4 Bulk Active Schottky 200 V 200A 990 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 200 V 3000pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount PRM4 (Isolated) -55°C ~ 175°C
    APTDF400U120G

    APTDF400U120G

    DIODE GEN PURP 1.2KV 450A LP4

    Microchip Technology

    478
    RFQ
    APTDF400U120G

    Datenblatt

    - LP4 Bulk Active Standard 1200 V 450A 2.5 V @ 500 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 2.5 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount LP4 -
    MSC030SDA330B

    MSC030SDA330B

    DIODE SIL CARB 3.3KV 30A TO247

    Microchip Technology

    2,170
    RFQ
    MSC030SDA330B

    Datenblatt

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 30A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
    MCX5622

    MCX5622

    UFR,FRR

    Microchip Technology

    3,024
    RFQ
    MCX5622

    Datenblatt

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
    JANS1N5822US

    JANS1N5822US

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF

    Microchip Technology

    121
    RFQ
    JANS1N5822US

    Datenblatt

    - SQ-MELF, B Bulk Active Schottky 40 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - Military MIL-PRF-19500/620 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
    PNE20010EXD-QX

    PNE20010EXD-QX

    DIODE GEN PURP 200V 1A SOD323HP

    Nexperia USA Inc.

    9,000
    RFQ
    PNE20010EXD-QX

    Datenblatt

    - 2-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.02 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 75 nA @ 200 V 10pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOD323HP 175°C
    PMEG45T20EXDX

    PMEG45T20EXDX

    DIODE SCHOTTKY 45V 2A SOD323HP

    Nexperia USA Inc.

    4,500
    RFQ
    PMEG45T20EXDX

    Datenblatt

    - 2-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 2A 560 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 9 ns 25 µA @ 45 V 160pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount SOD323HP 175°C
    SMD34HE1-TP

    SMD34HE1-TP

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD123HE1

    Micro Commercial Co

    3,000
    RFQ
    SMD34HE1-TP

    Datenblatt

    - SOD-123H Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 3A 520 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 40 V - - - Surface Mount SOD-123HE1 -55°C ~ 125°C
    Total 47618 Record«Prev1... 227228229230231232233234...2381Next»
    Kontaktieren Sie uns Mehr Produktinformationen erhalten!
    BomKey Elektronik

    Startseite

    BomKey Elektronik

    Produkte

    BomKey Elektronik

    Telefon

    BomKey Elektronik

    Benutzer

    Günstige Preise jeden Tag, sorgenfreie Auswahl.
    Günstige Preise jeden Tag, sorgenfreie Auswahl.
    Echte lizenzierte Waren, exzellenter Service.
    Echte lizenzierte Waren, exzellenter Service.
    Direktlieferung aus mehreren Lagern, schnelle Lieferung.
    Direktlieferung aus mehreren Lagern, schnelle Lieferung.
    Vollständige Produktpalette für einfaches Einkaufen.
    Vollständige Produktpalette für einfaches Einkaufen.
    Copyright © 2025 Bomkey Elektronik. Alle Rechte vorbehalten